蒸鍍氧化矽型阻隔性包裝（zhuāng）薄膜的（de）製備（bèi）方法有物理蒸鍍（PVC)和化學蒸鍍（CVC)兩大類。根據具體實施方法的不同，又有如下種種（zhǒng）方（fāng）法。阻隔膜生（shēng）產設備

1.物理蒸鍍
物理蒸鍍亦稱物理氣相（xiàng）沉積法，包括（kuò）電阻絲蒸鍍、電子束（shù）蒸鍍以及濺射等。其中電阻（zǔ）式蒸鍍和電子（zǐ）束蒸鍍需在高溫（wēn）下使SiO2汽化，而濺射（shè）沉積（jī）應用單元素靶材濺（jiàn）射，具有沉（chén）積溫度低、沉積速率高、靶材不受限製、鍍膜質量（liàng）好的
優點。

（1)電阻絲蒸鍍法

電（diàn）阻絲蒸發鍍法是在真空室中，用（yòng）電阻絲加熱SiO2,溫度可達1700℃,高溫及（jí）真空使（shǐ）SiO2以原子或分子的形態從（cóng）其（qí）表麵汽化逸出，形成蒸氣流，該蒸氣流在基材表麵沉積，形成含SiOx鍍層的阻隔性（xìng）包裝薄膜。

（2)電子束蒸發鍍膜法

電子束蒸發鍍膜法是將 SiO2放入（rù）水冷銅坩堝中，直（zhí）接利用電子束加熱，使之蒸發汽化，然後凝結（jié）在基材的表麵上形成含（hán）SiOx鍍層的（de）阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源的（de）束（shù）流密度高，能（néng）獲得遠比電阻加熱源更大的能量密度，蒸發溫（wēn）度高（gāo）（電子（zǐ）束加（jiā）熱能量達20kW/c㎡,溫（wēn）度更可達3000~6000℃),因而特別適合製作高熔點（diǎn）薄膜類材料和高純薄膜材料，而且能有較高的蒸發速度。由於熱量（liàng）可直接加到蒸鍍材料的表麵（miàn），因而熱效率高，熱傳導和熱輻射的損失少，所生產的SiOx阻隔性包（bāo）裝薄膜（mó）的阻隔性，較之電阻絲蒸（zhēng）鍍法生產的產品，也有顯（xiǎn）著提高。

（3)濺射法

濺射法亦稱磁控濺射法或高速低溫濺射（shè）法。用單元素靶材濺射並倒（dǎo）入反（fǎn）應氣體進行的（de）反應稱為反應（yīng）濺射，通過調節沉積工藝參數，可以製（zhì）備化學配比或非化學（xué）配比的化合物薄膜，從而達到通過調節薄（báo）膜鍍層的組成來調控薄膜特性的目的。磁控濺（jiàn）射法與蒸發法相比，具有鍍膜層與基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻等優點。磁控（kòng）濺射的其（qí）他優點（diǎn）有設備簡單、操作（zuò）方便等（děng），在濺射鍍膜過程中，隻要保持工作氣壓和濺射功率恒定，基本上即可獲得穩定的沉積速率。最（zuì）大缺點是沉積速率相對較低，此外可能發（fā）生靶中毒（dú）、引起的打火和濺射過程不穩定以及膜的缺（quē）陷（xiàn）等，這些（xiē）限製了它的應用，因此尚有待進一步改進。

2.化學（xué）蒸鍍（PECVD)
化學（xué）蒸鍍亦稱等離子體增強化學氣相沉積或等離子體聚合氣相沉積，是利用等離子體手段產生電子、離子及活性基團，在氣態或基體表麵進行化學（xué）反應。等離子體增強化學氣相沉（chén）積技術，利用射頻（RF)電源產生輝光放電（射頻電源放電方式可以設置為連續放電方式（shì）或脈衝放電方式）或者微波（MW)放電來離解反應氣（qì）體，形成等離子體，等離子體與基（jī）膜表麵發（fā）生相互作（zuò）用並沉積成膜（mó）。穀吉（jí）海等曾在包裝工程中，對PECVD蒸鍍技術的原理、特（tè）點（diǎn）和應（yīng）用及陶瓷膜蒸鍍（dù）技術的（de）發展趨勢進行了展望（wàng）。

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