蒸鍍氧化矽型阻隔性包裝薄膜的製備方（fāng）法有物理蒸鍍（PVC)和化學蒸鍍（CVC)兩大類。根據具體（tǐ）實施方法的不同，又（yòu）有如下種（zhǒng）種方法。阻隔膜生產設備

1.物理蒸鍍
物理蒸鍍亦稱物理氣（qì）相沉積法（fǎ），包（bāo）括電阻絲（sī）蒸（zhēng）鍍、電子束蒸鍍以（yǐ）及濺射等。其中電阻式蒸鍍和電子束蒸鍍需在高溫下使SiO2汽化，而濺射沉積應用單元素（sù）靶材濺射，具有沉積溫度低、沉（chén）積速（sù）率高、靶材不受限製、鍍膜質量好的
優點。

（1)電阻絲蒸鍍法

電阻絲蒸發鍍法是在真空室中，用電阻（zǔ）絲加熱SiO2,溫度可（kě）達1700℃,高（gāo）溫及（jí）真空使SiO2以原（yuán）子或分子的形態從其（qí）表麵汽化逸出，形（xíng）成蒸氣流，該蒸氣流在基材表麵沉（chén）積，形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝（zhuāng）薄膜。

（2)電子（zǐ）束蒸發鍍膜法

電子束蒸（zhēng）發（fā）鍍膜（mó）法是將（jiāng） SiO2放入（rù）水冷銅坩堝中，直接利用電（diàn）子束加熱，使之蒸發汽化，然後凝結在基材的表麵（miàn）上形成含SiOx鍍層的（de）阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度高，能（néng）獲得遠比電阻加熱源更大的能量密度，蒸發溫度高（電子束加熱能量達20kW/c㎡,溫度更可達3000~6000℃),因而特別適合製作高熔點薄膜類材（cái）料和高純薄膜材料（liào），而且（qiě）能（néng）有較高的蒸（zhēng）發速度。由於熱（rè）量（liàng）可直接加到蒸鍍（dù）材料的（de）表麵，因而熱效率（lǜ）高，熱傳（chuán）導（dǎo）和熱（rè）輻（fú）射的損失少，所生產的SiOx阻隔性包裝薄（báo）膜的阻（zǔ）隔性，較之電阻絲蒸鍍法生（shēng）產的產品，也有（yǒu）顯著提高。

（3)濺射法

濺射法亦（yì）稱磁控濺射法或高速低溫濺射法。用單（dān）元素（sù）靶材濺射並倒入反應氣體進行的反應（yīng）稱為反應濺射，通（tōng）過調節沉積工藝參數，可以製備化學配比或非化學配比（bǐ）的化合物薄膜，從而達到通過調節（jiē）薄膜鍍層的組成（chéng）來調控薄膜特性的目的。磁控濺（jiàn）射法與蒸（zhēng）發法相（xiàng）比，具有鍍膜層（céng）與基材的結合力強、鍍膜層致密（mì）、均勻等優點。磁（cí）控濺射的其他（tā）優點有設備簡單、操作方便等，在濺射鍍膜過（guò）程（chéng）中，隻要保持工作（zuò）氣壓和濺射功率恒定，基本上即可獲得穩（wěn）定的沉積速（sù）率。最大缺點是（shì）沉積速率相對較低，此外可能發生靶中毒、引起的打火和濺射過程不穩定以及膜的缺陷等，這些限製了它的應用，因此（cǐ）尚有待進一步改進。

2.化學蒸鍍（PECVD)
化學蒸鍍亦稱等離子體增強化學氣相沉積或等離子體聚合氣相沉積，是利用（yòng）等（děng）離子體手段產生電子、離子及活性基團，在氣態或（huò）基體表麵進行化學反應。等離子體增強化學氣相沉積技術，利用射頻（RF)電源產生輝光放電（射頻電源放（fàng）電方式可以設置為連續放電方式或（huò）脈衝放電方式）或者微（wēi）波（MW)放電（diàn）來離（lí）解反應氣體，形成等（děng）離子體，等離（lí）子體與基膜表麵發生相互作用並沉積成膜。穀吉海等曾在包裝工程中，對PECVD蒸鍍技術的原理、特點和應用及陶瓷膜蒸鍍（dù）技術的發展趨（qū）勢進行（háng）了展望。

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