一（yī）、影響蒸鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄（báo）膜性能的因素

蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍塗層的組成、蒸鍍層的厚度等，都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的（de）性能產生（shēng）巨大的影響，主（zhǔ）要可（kě）以列舉如下。www.nbcredit.net南京免费午夜福利视频精工（gōng）阻隔膜生產線

1.基材的選擇（zé）性
如前所述，蒸鍍（dù）型氧化（huà）矽阻隔（gé）性包裝薄膜的阻隔性（xìng）依靠於（yú）SiOx塗層，因此在蒸煮處理過程中，不能破壞該塗層。蒸鍍（dù）型氧化矽阻隔性包裝薄膜通常與其他薄膜複合，製造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基（jī）材應當注意如（rú）下幾個問題。

（1)塑料薄膜的（de）類型

蒸鍍的氧化矽膜與塑（sù）料薄膜之間的黏合牢度（dù）與塑料（liào）基膜種類之間有較大的關係，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化（huà）矽間的黏合性較佳（jiā），而非（fēi）極性的薄膜，與氧化矽間的黏合力則比較差。

（2)塑（sù）料薄膜表麵狀態

蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度上決定於氧化矽鍍層的均勻性。裂（liè）縫、針（zhēn）孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝（zhuāng）薄膜的阻隔性明顯下降（jiàng），缺陷的形成除了蒸鍍層本身的化學成分與（yǔ）結構之外，所用基膜的表麵（miàn）平滑性，也是一個重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍缺陷，但適量的粗糙度會使（shǐ）蒸（zhēng）鍍層和基膜的表麵之間形成物理錨接，改善層間黏合力。

（3)塑料薄膜（mó）的表麵預處理狀況

為了得到優質的蒸（zhēng）鍍（dù）薄膜（mó），對基膜進行適度的（de）表（biǎo）麵電暈處理（lǐ）是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電（diàn）暈處理，可在其表麵形成氧化層（通過交聯、臭氧化、羧基化、硝（xiāo）基化等多種複雜的化學反應，將氧、氮等原子及原子團引入到（dào）塑料薄膜的表麵上），增大（dà）基膜與蒸鍍塗層之間的結合力。在預處理設備一定的情（qíng）況（kuàng）下，如果預處理（lǐ）時間不足，表麵（miàn）改性不（bú）充分，將（jiāng）導致基膜與塗層（céng）之間的結（jié）合牢度下（xià）降；預處理時間過長，可能（néng）引起基膜較（jiào）深層次（cì）的界麵弱化，產生基膜自身的弱界（jiè）麵（miàn）層，也會引起基材表麵和蒸鍍層間的結合力下降。
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2.蒸（zhēng）鍍工藝條件（jiàn）對蒸鍍型氧化矽阻隔性包（bāo）裝薄膜性能的（de）影響

不論采用（yòng）物理蒸鍍或者化學蒸鍍，蒸鍍（dù）工藝條件都（dōu）可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性（xìng）能產生顯著的影響，因此應當盡可能采用有利於提高蒸（zhēng）鍍薄（báo）膜阻隔性（xìng）的工藝（yì）條件。

（1)采用物理蒸鍍（dù）時，

真空度的（de）高低、基材（cái）薄膜的溫度、電子槍的功率（lǜ）、蒸鍍原（yuán）料SiO2的形（xíng）狀、真空室中（zhōng）氧氣導入的速度、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸鍍時間與蒸發功率）等均會影響最終產品的性（xìng）能。

①蒸（zhēng）鍍時真空度越高（gāo），越有利（lì）於SiO2的（de）蒸發（fā），製得的蒸鍍膜的質量越高（gāo）。

②蒸鍍（dù）時塑料基膜的溫度高，有利於蒸發的SiO,在塑料基（jī）膜上沉積、形成致密的塗層並有利（lì）於提高蒸鍍層與塑料基膜（mó）間的黏結度，因此適當提高塑料基膜的溫度，有利（lì）於提高蒸鍍（dù）薄膜的質量。

③采用電子槍轟擊（jī）、蒸發SiO2時，宜使用（yòng）塊狀（zhuàng）的SiO2,因（yīn）為粉（fěn）狀的SiO2在受電子（zǐ）槍（qiāng）轟擊時，易產生粉末濺射現象，影（yǐng）響蒸（zhēng）鍍膜的質量，而粉狀SiO2則有利於電阻加（jiā）熱蒸發。

④氧氣的（de）導入速（sù）度影響蒸鍍層的組成，即SiOx中（zhōng）Si原子數與0原子數的比值，氧的量（liàng）越大，即x的值越大，蒸鍍層（céng）向透明性提高的方向移動（dòng），但阻隔性有降低的趨勢。當（dāng）x等於2時，得到阻隔（gé）性能（néng）差的、無色透明的蒸鍍層，通常x控製在1.5~1.8之（zhī）間（jiān）以獲得兼具高阻隔性及良好（hǎo）透明性的（de）蒸鍍氧化矽薄膜。www.nbcredit.net南（nán）京免费午夜福利视频精（jīng）工阻隔膜生產（chǎn）線

蒸鍍（dù）層的厚度增加，蒸（zhēng）鍍膜的阻隔性增加，但當蒸鍍層的厚度超過50nm時（shí），蒸鍍層的厚度再進一步增（zēng）大，蒸鍍膜的阻隔（gé）性基本保持不變，因此不能指望依靠降低生產線的（de）線速（sù）度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層的厚度的辦法，無限度地提高（gāo）蒸鍍薄膜的阻（zǔ）隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或微波頻率（lǜ）的（de）選擇，應（yīng）與離子化氣氛中的離子化能（néng）量以及（jí）蒸鍍材料（liào）離子化所需要的（de）能量（liàng）相匹配（pèi），高（gāo）頻電磁（cí）波一般選（xuǎn）用13.56MHz,微波一般選用（yòng）2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即可獲得優（yōu）良的蒸（zhēng）鍍效果，而物理蒸鍍時則需要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高（gāo）的真空度。

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