拉伸薄膜

         通常PET薄（báo）膜在縱（zòng）向和橫向的F-5值在100~390MPa.但，這種薄膜對（duì）於長時間放聲或小尺寸的磁帶基膜是不夠用的。因這些磁帶要求薄膜硬度更大。薄膜的有效硬度是與薄膜厚（hòu）度（dù）3X膜模量成比例的（de），即使薄膜很薄（báo），也應該有較高（gāo）的模量。高模量的（de）薄（báo）膜是由增加薄膜分子取向獲得的。因為縱向（xiàng）模（mó）量與磁帶運動性有關，而橫向模量與磁頭接（jiē）觸性有關，要求在兩個方向上都（dōu）具有高模量。（磁帶的運動性好壞通常是由磁帶的伸長率、磁帶邊緣損壞（huài）及磁帶的折（shé）疊狀況（kuàng）來評價的）。

以下列舉了一些類型的拉伸（shēn）薄膜：

①半拉伸薄膜（縱向F-5值為130~150MPa);
②一般拉伸薄膜（縱向F-5值為150~180MPa);
③過拉伸薄膜（縱（zòng）向F-5值為180~220MPa);
④超過拉伸薄膜（縱向F-5值為220~260MPa);
⑤雙側拉伸薄膜（縱（zòng）向 F-5值為150MPa;橫向 F-5值為140MPa).

隨著拉伸的增加，PET薄膜的熱收縮率收縮率增加，熱收縮的變化是（shì）與F-5值的關（guān）係是不可逆的。

生產拉伸（shēn）薄膜（mó）的基本過程如下：
（1)LD方向拉伸；
（2)TD方向拉伸；
（3)LD方向再拉伸；
（4)如果需（xū）要，TD方向（xiàng）再拉伸；
（5)熱固化。

LD方向再拉伸是相當困難的，因為薄膜非常薄和寬，會導致

（1)兩邊應成型得相當厚，以防此寬度減（jiǎn）小；
（2)預熱和拉伸輥的偏差應該盡（jìn）可能小；
（3)拉伸溫（wēn）度應隨薄膜通過機器的進程而升高。

        由於再拉伸過程通常成本較高，因此提出（chū）了另一種方法以降低製造成本。這種新（xīn）工藝的特點是，第一次（cì）的LD方向拉伸分兩步進行:

（1)流延薄膜首先在120~150℃在LD方向拉（lā）伸，控製拉伸比，使拉（lā）伸薄膜的雙折射值在0.005~0.025之間；

（2)之後第二次LD方向的拉伸在60~100℃之間進行；
（3)這樣（yàng）獲得的單向拉伸薄膜在TD方向（xiàng）以4.3以（yǐ）上的拉伸比進行拉伸；
（4)獲得雙向（xiàng）拉伸薄（báo）膜（mó）之後再熱固化。

         根據這樣的加工工藝，由於不需要再次拉（lā）伸過程，因此拉伸薄膜的製（zhì）造成本（běn）較低。有各種方法生產過拉伸薄膜，下麵（miàn）列舉了其中的一些（xiē）方法。

（1)雙（shuāng）取（qǔ）向（xiàng）的薄（báo）膜再（zài）次同步雙向拉伸.

          ”第二（èr）次同（tóng）步拉伸的拉伸比分別為：LD方向為1.05~1.90;TD方向（xiàng）為1.0~1.9.同（tóng）步拉（lā）伸的拉伸（shēn）溫度（dù）在（Tg+10)℃和（hé）（Tm-40)℃之間（Tg:玻璃化轉變（biàn）溫度（dù）；Tm:熔融溫度）。

（2)多步LD方向拉伸與再（zài）拉伸（shēn）相結合.

        流延薄膜以多步形式在LD方向（xiàng）拉伸為雙折（shé）射值在0.02~0.10的單取向薄膜，之後薄膜以2.5~4.5的拉伸比在TD方向拉伸，並以1.5~2.5的拉伸比在LD方向再（zài）拉伸。經過LD、TD及LD拉伸產品的拉伸比高於25.

（3)多步LD拉伸與（yǔ）同步雙向拉伸相結合.

         流（liú）延薄（báo）膜以多步形式在（zài）LD方向拉伸為雙折射（shè）值在0.02~0.10的單取向薄膜。之後薄膜以高（gāo）於2.5的拉伸比（bǐ）進行TD方向拉伸，之後進行同步雙向拉伸，此時兩方向的（de）拉伸比（bǐ）在1.4~2.5,產品總的拉伸比在（zài）27以上。

（4)伴有區域退火（huǒ）的區域拉伸。

        區域（yù）拉伸和退火包括在按壓（yā）點加熱的張力條件下的薄膜拉伸和退火。區域拉伸的目的是（shì）在防止結晶的同時獲得較高的分子取向（xiàng），它是通過大（dà）致在Ts溫度時薄膜（mó）的頸縮拉伸獲得（dé）的。區域退火的目的是在Tc-Tm 溫度（dù）之間（jiān）較（jiào）高的（de）張力下，對拉伸薄膜退（tuì）火的方法，獲（huò）得分子鏈伸長的晶體。區域退火薄膜的LD方向模量幾乎是原薄膜的兩（liǎng）倍，盡管TD方向的模量有所下降。

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